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2SA1360-126	文件：114.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：114.76 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
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2SA1362	文件：307.03 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AEG；Package：SOT-346；Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications 文件：307.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1362	文件：417.9 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors 文件：417.9 Kbytes 页数：2 Pages	SHENZHENSLS 三联盛	SHENZHENSLS
2SA1362_07	文件：307.03 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications 文件：307.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1362_15	文件：990.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：990.47 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1362-G	文件：990.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：990.47 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SA1362
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW67,BCW78,2SA1298,2SA1365,2SB815,2SB970,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
15
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
-15
IC(Max)(A)：
-0.8
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.2
fT(Typ.)(MHz)：
120
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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