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2SA1305	文件：157.44 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·High current switching applications 文件：157.44 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306	文件：165.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220Fa package 2. Complement to type : 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B 文件：165.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306	文件：182.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Good Linearity of HFE • High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B • Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Driver stage amplifier applications 文件：182.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1306	文件：116.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS • Power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：116.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1306A	文件：116.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS • Power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：116.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1306A	文件：182.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Good Linearity of HFE • High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B • Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Driver stage amplifier applications 文件：182.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1306A	文件：165.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220Fa package 2. Complement to type : 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B 文件：165.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306B	文件：165.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220Fa package 2. Complement to type : 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B 文件：165.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306B	文件：182.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Good Linearity of HFE • High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B • Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Driver stage amplifier applications 文件：182.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1306B	文件：397.62 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SILICON POWER TRANSISTORS 1.5 AMPERES 200 VOLTS 20 WATTS 文件：397.62 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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晶体管资料

型号：
2SA1309A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
可代换的型号：
BC212,BC257,BC307,BC557,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
80000000
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

PCM(W)：
0.3
IC(A)：
0.1
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
7
hFEMin：
160
hFEMax：
460
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.05
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.005
Package：
TO-92S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SA1309A	PNPECB	24+	TO-92S	20000		询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SA1309A	PAN	23+	NA	76486	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SA1309A	长电	25+23+	TO-92S	23923	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	2SA1309A	CJ/长电	21+	TO-92S	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税发票	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	2SA1309A	CJ/长电	26+	原厂原封装	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市赛美科科技有限公司	2SA1309A	PANASONIC		TO-92S(TP	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	2SA1309A	CJ/长电	22+	TO-92S	15240	原装正品	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SA1309A	PANASONIC/松下	25+	TO-92S(TP)	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市芯连胜科技有限公司	2SA1309A	长电	2015	TO-92S	54000		询价
富凯科技(深圳）有限公司	2SA1309A	CJ/长电	24+	TO-92S	50000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价

更多2SA130供应商更新时间2026-3-10 16:30:00

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