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2SA1298	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Low Frequency Power Amplifier Application Power Switching Applications • High DC current gain: hFE = 100 to 320 • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.4 V (max) (IC = −500 mA, IB = −20 mA) • Suitable for driver stage of small motor • Complementary to 2SC3265 • Small package 文件：131.59 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1298	文件：301.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications 文件：301.9 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1298	文件：858.48 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications 文件：858.48 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1298	文件：37.21 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial ■ Features ● Collector Current Capability IC=-0.8A ● Collector Emitter Voltage VCEO=-30V ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications ● Complementary to 2SC3265 文件：37.21 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1298	文件：83.95 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor -0.8A , -35V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Low Frequency Power Amplifier Application • Power Switching Applications 文件：83.95 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1298	文件：1.65953 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES  Low Frequency Power Amplifier Application  Power Swithing Applications 文件：1.65953 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1298	文件：600.12 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors ■ Features ● Collector Current Capability IC=-0.8A ● Collector Emitter Voltage VCEO=-30V ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications ● Complementary to 2SC3265 文件：600.12 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1298	文件：311.86 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Application Power Switching Applications 文件：311.86 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1298	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification Feature：High current\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC3265\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC -0.8 A \nCollector-emitter voltage VCEO -25 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1298LT1	文件：99.04 Kbytes Page：1 Pages	PNP TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION ● Complement to MMPT2SC3265LT1 ● Collector-current:Ic=-500mA ● High Total Power Dissipation:Pc=225mW 文件：99.04 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-25
IC(Max)(A)：
-0.8
hFE(Min)：
100
hFE(Max)：
320
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.4
fT(Typ.)(MHz)：
120
ComplementaryProduct：
2SC3265
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多2SA1298供应商更新时间2025-12-11 20:39:00

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