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2SA1296-TA	文件：1.415 Mbytes Page：4 Pages	丝印：A1296；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features Low Saturation Voltage: VCE (sat) High DC Current Gain 文件：1.415 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1297	文件：149.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat)= −0.5 V (max) @IC= −2 A • Complementary to 2SC3267. 文件：149.33 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1297	文件：134.91 Kbytes Page：1 Pages	MINI PACKAGE SERIES Application General Purpose > Low Noise High Voltage High Current High Current Low Impedance Low Noise (NEW Audio Drive & Out NEW High B Muting & SW FM RF, MIX OSC AM CONV. FM/AM IF AM FF, CONV IF FM/AM RF, MIX OSC Application General Purpose High IYfsl Low Noise Analog SW & Ge 文件：134.91 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1298	文件：301.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications 文件：301.9 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1298	文件：858.48 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications 文件：858.48 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1298	文件：37.21 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial ■ Features ● Collector Current Capability IC=-0.8A ● Collector Emitter Voltage VCEO=-30V ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications ● Complementary to 2SC3265 文件：37.21 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1298	文件：83.95 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor -0.8A , -35V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Low Frequency Power Amplifier Application • Power Switching Applications 文件：83.95 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1298	文件：1.65953 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES  Low Frequency Power Amplifier Application  Power Swithing Applications 文件：1.65953 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1298	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Low Frequency Power Amplifier Application Power Switching Applications • High DC current gain: hFE = 100 to 320 • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.4 V (max) (IC = −500 mA, IB = −20 mA) • Suitable for driver stage of small motor • Complementary to 2SC3265 • Small package 文件：131.59 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1298	文件：600.12 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors ■ Features ● Collector Current Capability IC=-0.8A ● Collector Emitter Voltage VCEO=-30V ● Low Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications ● Complementary to 2SC3265 文件：600.12 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

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晶体管资料

型号：
2SA1292
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1328,2SB922L,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
80
htest：
100000000
atest：
15
wtest：
70

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