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2SA1261	文件：56.14 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP Silicon Epitaxial Transistor High Speed High Voltage Switching Industrial Use 文件：56.14 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA1261	文件：303.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.6V(Max.)@IC= -5A ·Fast Switching Speed ·Complement to Type 2SC3157 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Developed for high-voltage high-speed switching, and is ideal 文件：303.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1261	文件：166.31 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High switching speed ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SC3157 APPLICATIONS ·For high voltage ,high speed and power switching applications 文件：166.31 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1261	文件：138.64 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=-0.6V(Max.)@lc= -5A • Fast Switching Speed • Complement to Type 2SC3157 APPLICATIONS • Developed for high-voltage high-speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switching reglators, DC/DC converters, and hig 文件：138.64 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1261	文件：227.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With ITO-220 package ·High switching speed ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SC3157 APPLICATIONS ·For high voltage ,high speed and power switching applications 文件：227.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1261-Z	文件：233.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High switching speed • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.6V(Max)@ IC= -5A • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • Complementary to 2SC3157 APPLICATIONS • High speed high voltage switch 文件：233.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1262	文件：189.7 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC3179 APPLICATIONS ·Audio and general purpose 文件：189.7 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1262	文件：23.15 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3179) Application : Audio and General Purpose 文件：23.15 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken
2SA1262	文件：115.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC3179 APPLICATIONS ·Audio and general purpose 文件：115.57 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1262	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC3179 APPLICATIONS ·Audio and general purpose 文件：128.6 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SA1264
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_HIFI_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD246C,2SA1141,2SA1186,2SA1227(A),2SB816,2SB966,2SB981,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
120
htest：
30000000
atest：
8
wtest：
80

技术参数

Maximum Transition Frequency：
15(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
30000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@0.2A@2AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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