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2SA1220A	文件：35.51 Kbytes Page：1 Pages	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR PNP/NPN Silicon Epitaxial Transistor Audio, High Frequency Power Amplifier 文件：35.51 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA1220A	文件：106.63 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Good Linearity of hFE ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -120V(Min)-2SA1220 = -160V(Min)-2SA1220A ·Complement to Type 2SC2690/A APPLICATIONS ·Adudio frequency power amplifier 文件：106.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1220A	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC2690/2690A APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier 文件：194.94 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1220A	文件：133.38 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC2690/2690A APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier 文件：133.38 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1220A	文件：127.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：127.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1220A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-160
VCEO (V)：
-160
Vebo (V)：
-5
IC (A) @25 °C：
-1.2
VCE(sat) (V) max.：
-0.7
hFE min.：
60
hFE max.：
320
fT (MHz) typ.：
175
Cob (pF) typ.：
26
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL announced

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