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2SA1187	文件：172.3 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：172.3 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1187	文件：125.03 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：125.03 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1187_15	文件：172.3 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：172.3 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1188	文件：177.67 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：177.67 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1188DTZ-E	文件：177.67 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：177.67 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1188ETZ-E	文件：177.67 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：177.67 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1182	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC2859\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC -0.5 A \nCollector-emitter voltage VCEO -30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1184	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P	NJS	NJS
2SA1185	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P	NJS	NJS
2SA1182-GR,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.5A SMINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

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晶体管资料

型号：
2SA1189
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF423,BF435,BF491,2SA970,2SA1049,2SA1136,2SA1285(A),3CG180B,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
120
htest：
130000000
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

NPN/PNP：
PNP
VCEO (V)：
-120
IC (A) @25 °C：
-0.1
hFE min.：
250
hFE max.：
800
Pc (W)：
0.4
fT (GHz) typ.：
0.13
Package Type：
TO-92
Production Status：
EOL

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