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2SA1179N6-CPA-TB-E	文件：418.37 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：418.37 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1179N6-TB-E	文件：418.37 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：418.37 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1179N6-CPA-TB-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.15A	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1179N6-TB-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.15A 3CP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SA1179
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,BCX71,2SA1312,3CG120B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
55
htest：
180000000
atest：
0.15
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
55
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
200
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.001
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.05
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.005
Package：
SOT-23

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