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2SA1171PETR-E	文件：97.87 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency small signal amplifier 文件：97.87 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1173	文件：226.11 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD 文件：226.11 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1173	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1174	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1175	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1175	文件：222.73 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA1175 is designed for use in driver stage of AF amplifier. FEATURES ● High hFE and excellent linearity : 200 TYP. hFE (IC = -1.0 mA) ● Complementary to the NEC 2SC2785 NPN transistor. 文件：222.73 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1177	文件：118.26 Kbytes Page：4 Pages	HF Amp Applications HF Amp Applications Features • High fT (230MHz typ.) and small Cre (1.1 pF typ.). • Small NF (2.5dB typ.). Use • Ideally suited for use in FM RF amplifiers, mixers, oscillators, converters, IF amplifiers. 文件：118.26 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1177	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1179	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	2SA1179 PNP/NPN Transistor Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Miniature package facilitates miniaturization in end products. • High breakdown voltage. 文件：169.43 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1179	文件：159.67 Kbytes Page：3 Pages	丝印：M；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. ● High speed switching. ● Complementary to 2SD1749. APPLICATIONS ● For power application and switching. 文件：159.67 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

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晶体管资料

型号：
2SA1175
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC212,BC256,BC266,BC448,BC558,3CG120B,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
180000000
atest：
0.1
wtest：
0.25

技术参数

VCEO (V)：
50
hFE min.：
110
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.25
Production Status：
EOL

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