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2SA1117	文件：150.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipations APPLICATIONS • For power switching amplifier and general purpose applications 文件：150.26 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1117	文件：108.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipations APPLICATIONS • For power switching amplifier and general purpose applications 文件：108.83 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1117	文件：152.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：152.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1117	文件：150.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.26 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1117	文件：125.93 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：125.93 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1117	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SA1117_15	文件：150.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.26 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SA1117
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
17A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2SA1109,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
200
htest：
20000000
atest：
17
wtest：
200

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
20000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
150V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
2@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
150V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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