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2SA1030	文件：24.44 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC458 and 2SC2308 文件：24.44 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SA1030	文件：166.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：166.33 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1030	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SA1030BTZ	文件：166.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：166.33 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SA1030B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Small Signal Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SA1030
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
280MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,3CG120B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
55
htest：
280000000
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
280(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
300mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@1mA@10mAV
Maximum Collector Base Voltage：
55V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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