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2SA1036KT146R	文件：77.12 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor Features 1) Large IC. ICMax. = 500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K / 2SC1741S / 2SC4097. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：77.12 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1036-P	文件：256.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features · Large IC. ICMax.= -0.5 A · Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. · Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating · Moisure Sensitivity Level 1 · Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ·· 文件：256.24 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SA1036-Q	文件：256.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features · Large IC. ICMax.= -0.5 A · Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. · Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating · Moisure Sensitivity Level 1 · Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ·· 文件：256.24 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SA1036-R	文件：256.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features · Large IC. ICMax.= -0.5 A · Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. · Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating · Moisure Sensitivity Level 1 · Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ·· 文件：256.24 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SA1037	文件：76.37 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor Features 1) Excellent hFE linearity. 2) Complements the 2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S. 文件：76.37 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1037	文件：310.24 Kbytes Page：4 Pages	丝印：FQ；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low IC.ICMAX. =-150mA. Low VCE(sat).Ideal for low-voltage operation. APPLICATIONS Ideal for low-voltage operation. 文件：310.24 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1037	文件：344.05 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Excellent hFE linearity. ● Complments the 2SC2412 文件：344.05 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1037	文件：1.43451 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Excellent hFE linearity. • Complments the 2SC2412 文件：1.43451 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1037	文件：1.24904 Mbytes Page：2 Pages	PNP Transistors Features ● Excellent hFE linearity. ● PNP silicon transistor 文件：1.24904 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1037	文件：98.85 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQRENCY,LOW NOISE AMPLIFIER • Complemen to 2SC2712 • Collector-current:Ic=-100mA • Collector-Emiller Voltage:VCE=-45V 文件：98.85 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

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晶体管资料

型号：
2SA103
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）_中频放大（ZF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
35MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA218,2SA219,2SA220,2SA221,2SA222,2SA223,2SA224,2SA225,2SA226,2SA227,3AG95A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
40
htest：
35000000
atest：
0.01
wtest：
0

技术参数

Maximum Transition Frequency：
280(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
300mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@1mA@10mAV
Maximum Collector Base Voltage：
55V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市粤科源兴科技有限公司	2SA1037AK	ROHM	13+		20654	原装分销	询价

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