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2PD601BSL	文件：993.55 Kbytes Page：13 Pages	Marking：MM；Package：SOT23；50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits CollectorcurrentIC≤200mA Twocurrentgainselections AEC-Q101qualified SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PD601BSL,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.2A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
2PD601A	文件：40.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.50V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2PD601A	文件：42.02 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistors(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •AvailableinSOT323(SC-70)andSOT346(SC-59)packages •AvailableinthreedifferentDCcurrentgainversions(Q,R,S). APPLICATIONS •Generalpurpose	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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2PD601AQ	文件：40.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.50V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2PD601AQ	文件：48.28 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistors(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •AvailableinSOT323(SC-70)andSOT346(SC-59)packages •AvailableinthreedifferentDCcurrentgainversions(Q,R,S). APPLICATIONS •Generalpurpose	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PD601AQW	文件：50.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor NPNGeneralPurposeTransistor Features ●Highcollectorcurrent(max.100mA) ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2PD601AQW	文件：48.28 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistors(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •AvailableinSOT323(SC-70)andSOT346(SC-59)packages •AvailableinthreedifferentDCcurrentgainversions(Q,R,S). APPLICATIONS •Generalpurpose	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PD601AR	文件：42.02 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistors(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •AvailableinSOT323(SC-70)andSOT346(SC-59)packages •AvailableinthreedifferentDCcurrentgainversions(Q,R,S). APPLICATIONS •Generalpurpose	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
2PD601BSL
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 50 V 200 mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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