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2PD601ASW	文件：48.28 Kbytes Page：8 Pages	Marking：-6F；Package：SOT-323；NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistors(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •AvailableinSOT323(SC-70)andSOT346(SC-59)packages •AvailableinthreedifferentDCcurrentgainversions(Q,R,S). APPLICATIONS •Generalpurpose	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PD601ASW	文件：50.07 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistor NPNGeneralPurposeTransistor Features ●Highcollectorcurrent(max.100mA) ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2PD601ASW	文件：250.85 Kbytes Page：9 Pages	Marking：6F；Package：SOT323；50 V, 100 mA NPN general purpose transistor Featuresandbenefits •General-purposetransistor •SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PD601ASW-Q	文件：226.79 Kbytes Page：11 Pages	Marking：6F；Package：SOT323；50 V, 100 mA NPN general purpose transistor Featuresandbenefits •General-purposetransistor •SmallSMDplasticpackage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PD601ASW,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SOT323	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
2PD601AW	文件：152.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2PD601AW	文件：109.04 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2PD601AW	文件：1.77241 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCollectorCurrent LowColletor-EmitterSaturationVoltage APPLICATIONS GeneralPurposeSwitchingandAmplification	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2PD601AW	文件：132.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=100mA） ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2PD601AW	文件：50.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor NPNGeneralPurposeTransistor Features ●Highcollectorcurrent(max.100mA) ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
2PD601ASW
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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