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2PB1219	文件：42.33 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package. NPN complement: 2PD1820A. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42.33 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2PB1219A	文件：42.33 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package. NPN complement: 2PD1820A. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42.33 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2PB1219A	文件：211.98 Kbytes Page：6 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package. NPN complement: 2PD1820A. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：211.98 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
2PB1219A	文件：48.84 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor Features ● High current (max. 500 mA) ● Low voltage (max. 50 V) ● Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). 文件：48.84 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2PB1219A	文件：391.77 Kbytes Page：7 Pages	PNP general purpose transistor FEATURES •High current (max. 500 mA) •Low voltage (max. 50 V) •Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). 文件：391.77 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2PB1219AQ	文件：391.77 Kbytes Page：7 Pages	丝印：DQ；Package：SOT323；PNP general purpose transistor FEATURES •High current (max. 500 mA) •Low voltage (max. 50 V) •Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). 文件：391.77 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2PB1219AQ	文件：48.84 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor Features ● High current (max. 500 mA) ● Low voltage (max. 50 V) ● Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). 文件：48.84 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2PB1219AQ	文件：211.98 Kbytes Page：6 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package. NPN complement: 2PD1820A. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：211.98 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
2PB1219AQ	文件：42.33 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package. NPN complement: 2PD1820A. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42.33 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2PB1219AR	文件：42.33 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package. NPN complement: 2PD1820A. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42.33 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

晶体管资料

型号：
2PB709AQ
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA812,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=160-460
图片代号：
H-15
vtest：
45
htest：
80000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
250
VCEO [max] (V)：
-45
IC [max] (mA)：
-100
hFE [min]：
210
hFE [max]：
340
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
70
Automotive qualified：
Y

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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