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2N930	文件：40.78 Kbytes Page：2 Pages	LOW-LEVEL, LOW-NOISE AMPLFIERS DESCRIPTION The 2N930 is a silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-18 metal case, designed for use in high performance, low-level, low-noise amplifier applications. 文件：40.78 Kbytes 页数：2 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N930A	文件：144.84 Kbytes Page：4 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR (NPN SILICON) AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON 文件：144.84 Kbytes 页数：4 Pages	boca 博卡	boca
2N930A	文件：252.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS Low Noise Transistors 文件：252.01 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N930A	文件：233.2 Kbytes Page：2 Pages	Transistor Description: A Widely used “Industry Standard” silicon NPN transistor in a TO-18 type case designed for applications such as medium-speed switching and amplifiers from audio to VHF frequencies. Description Bipolar Transistor, NPN, 60V, TO-18 文件：233.2 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N930A	文件：156.96 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N830, 2N630A types are con NPN Planar Epitaxial Transistors designed for small signal general purpose and amper applications. 文件：156.96 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central
2N930A.	文件：233.2 Kbytes Page：2 Pages	Transistor Description: A Widely used “Industry Standard” silicon NPN transistor in a TO-18 type case designed for applications such as medium-speed switching and amplifiers from audio to VHF frequencies. Description Bipolar Transistor, NPN, 60V, TO-18 文件：233.2 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N930B	文件：33.67 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case 文件：33.67 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N935	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N936	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N937	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

技术参数

Case：
TO-18
Configuration/ Description：
NPN Low Noise
Polarity：
NPN
IC MAX：
30mA
PD MAX：
500mW
VCEO MAX：
45V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
500mV
@IC：
10mA
@IB：
500μA
Cob MAX：
6pF
fT MIN：
45MHz
NF MAX：
3dB

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