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FQU2N80	文件：639 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU2N80	文件：331.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA2N80	文件：46.61 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheEnergyRated Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA2N80	文件：299.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA2N80P	文件：162.65 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA2N80P	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP2N80	文件：46.61 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheEnergyRated Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP2N80	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP2N80P	文件：162.65 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP2N80P	文件：295.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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