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IXTP2N80
厂商型号

IXTP2N80

功能描述

High Voltage MOSFET

文件大小

46.61 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 19:08:00

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IXTP2N80规格书详情

High Voltage MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated

Features

• International standard packages

• Low RDS (on) HDMOSTM process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Low package inductance (< 5 nH) - easy to drive and to protect

• Fast switching times

Applications

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

• Flyback inverters

• DC choppers

Advantages

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXTP2N80

  • 功能描述:

    MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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