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2N709	文件：137.8 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSSTOR N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSSTOR 文件：137.8 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N709	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N709	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18	NJS 新泽西半导体	NJS
2N7091	文件：371.49 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -14A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N709A	文件：33.67 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case 文件：33.67 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N7091	文件：34.1 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR 文件：34.1 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

型号：
2N709(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS11,BSS12,BSX17,BSX18,BSX27,BSX44,BSY38,BSY39,2N2475,2N2368A,2N2369A,3DG122C,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
15
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0.36

更多2N709供应商更新时间2026-4-19 16:30:00