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2N7002T	文件：189.81 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETTransistor FEATURES ●Lowon-resistance. ●Lowgatethresholdvoltge. ●Lowinputcapacitance. ●Fastswitchingspeed. ●Lowinput/outputleakage. APPLICATIONS ●N-channelenhancementmodeeffecttransistor. ●Switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2N7002T	文件：89.55 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002T	文件：2.25871 Mbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel) MOSFET(N-Channel) FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002T	文件：583.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=115mA ●RDS(ON)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N7002T	文件：3.09825 Mbytes Page：5 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFET N-ChannelMOSFET Features ●HighdensitycelldesignforLowRDS(on) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●ESDprotected Applications ●DC/DCConverter ●LoadSwitchforPortableDevices ●BatterySwitch	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2N7002T	文件：1.11805 Mbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=115mA ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2N7002T	文件：359.47 Kbytes Page：2 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS MOSFET(N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG Halogenfreeproductforpackingcodesuffi	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
2N7002T	文件：196.81 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET(N-Channel) FEATURES Powerdissipation PD:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N7002T	文件：162.91 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002T	文件：191.05 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ●HighDensityCellDesignforLowRDS(ON) ●VoltageControlledSmallSignalSwitch ●RuggedandReliable ●HighSaturationCurrentCapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2N7002NXAK	NEXPERIA/安世	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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