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2N7002T	文件：333.8 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002T	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PD:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2N7002T	文件：447.74 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002T	文件：85.79 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagement applications. •DC-DCConverters •Powermanagementfunctions •Battery	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002T	文件：148.53 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002Thasbeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Itcanbeusedinmostapplicationsrequiringupto400mADCandcandeliverpulsedcurrentsupto2A.Theproductisparticularlysuitedforlowvoltage,	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002T	文件：337.37 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002T	文件：145.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowON-ResistanceandlowInputCapacitance •LowGateThresholdVoltage •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •AvailableinLead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002T	文件：189.81 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETTransistor FEATURES ●Lowon-resistance. ●Lowgatethresholdvoltge. ●Lowinputcapacitance. ●Fastswitchingspeed. ●Lowinput/outputleakage. APPLICATIONS ●N-channelenhancementmodeeffecttransistor. ●Switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2N7002T	文件：89.55 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002T	文件：2.25871 Mbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel) MOSFET(N-Channel) FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
2N7002KW-TP
制造商：
Micro Commercial Components(MCC)
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	2N7002KW-TP	MCC/美微科	23+	SOT323	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多2N7002KW-TP供应商更新时间2025-7-15 16:02:00

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