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2N7002DWL	文件：660.89 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET Features • High Density Cell Design For Low RDS(ON) • Voltage Controlled Small Signal Switch • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Moisture Sensitivity Level 1 • Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS C 文件：660.89 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2N7002DWL-AL6-R	文件：306.81 Kbytes Page：6 Pages	300m Amps, 60 Volts DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N7002DW uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * High Density Cell Design for Low RDS(ON) * Voltage Controlled Small Sign 文件：306.81 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2N7002DWL-AL6-R	文件：291.27 Kbytes Page：6 Pages	300mA, 60V DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：291.27 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2N7002DWL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
60
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±20
Drain Current IDMAX (A)：
0.115
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
4.5
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
50
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
1.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
2.5
Package Qty：
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
FIT：
30; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002DWL供应商更新时间2025-12-10 12:00:00

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