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2N7000RLRP	文件：57.66 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN?묬hannelTO??2200mAMPS60VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N7000TA	文件：85.23 Kbytes Page：3 Pages	AdvancedSmallSignalMOSFET BVDSS=60V RDS(on)=5.0Ω ID=200mA FEATURES ●FastSwitchingTimes ●ImprovedInductiveRuggedness ●LowerInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7000TA	文件：157.68 Kbytes Page：5 Pages	AdvancedSmall-SignalMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7000Z	文件：156.23 Kbytes Page：3 Pages	115mAmps,60VoltsN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7000Zhasbeendesignedtominimizeon-stateresistancetoproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Itcanbeusedinmostapplicationsrequiringupto400mADCandcandeliverpulsedcurrentsupto2A.Theproductisparticularlysuitedforlowvoltage,low	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
CMT2N7000	文件：118.58 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G2N7000	文件：191.13 Kbytes Page：2 Pages	TheG2N7000isdesignedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchasswitchingregulators,converterssolenoidandrelaydrivers.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2N7000	文件：188.76 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H2N7000	文件：429.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistanceWhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseproductsareparticularlysuitedforlowvoltage,lowcurrentapplicationssuchassmallservomotorcontrol,powerMOSFETgatedrivers,and	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
H2N7000	文件：41.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODETRANSISTOR Description TheH2N7000isdesignedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

详细参数

型号：
2N7000P
功能描述：
MOSFET -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7000P供应商更新时间2025-5-25 11:10:00

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