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2N684	文件：98.72 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N681, A Series types are Silicon Controlled Rectifiers designed for phase control applications. 文件：98.72 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N684	文件：145.43 Kbytes Page：1 Pages	DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER 25 AMPERES - 25 to 400 VOLTS All Wleded Construction Ruggedized to Meet Military Requirements 文件：145.43 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N684	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6841	文件：99.79 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 20 A to 49.9 A 文件：99.79 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6845	文件：82.19 Kbytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET 文件：82.19 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6845	文件：232.35 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A) REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET® TRANSISTORS THRU-HOLE (100V, P-CHANNEL) The HEXFET® technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: ver 文件：232.35 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
2N6849	文件：101 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL MOSFET P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/564 文件：101 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N684A	文件：98.72 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N681, A Series types are Silicon Controlled Rectifiers designed for phase control applications. 文件：98.72 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6845	文件：94.75 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：94.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6845	文件：42.42 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：42.42 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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晶体管资料

型号：
2N684(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
特殊封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
16A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
C228B,MCR3935-4,T12N200,2N3897,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
F-1
vtest：
150
htest：
999900
atest：
16
wtest：
0

详细参数

型号：
2N684
功能描述：
SCR PHASE CONT 150V 25A TO-48
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> SCR - 单个
系列：
-
其它有关文件：
X00619 View All Specifications
产品目录绘图：
SCR TO-92 Package
标准包装：
1
系列：
- SCR
型：
灵敏栅极电压 -
断路：
600V 电压 -
栅极触发器(Vgt)（最大）：
800mV 电压 -
导通状态(Vtm)（最大）：
1.35V 电流 -
导通状态(It(AV))（最大）：
500mA 电流 -
导通状态(It(RMS))（最大）：
800mA 电流 -
栅极触发电流(Igt)（最大）：
200µA 电流 -
维持(Ih)：
5mA 电流 -
断开状态（最大）：
1µA 电流 -
非重复电涌，50、60Hz(Itsm)：
9A，10A
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装：
TO-92-3
包装：
剪切带(CT)
产品目录页面：
1554(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
497-9067-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2N684	IR	22+	MODULE	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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更多2N684供应商更新时间2026-10-12 13:31:00

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