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2N6607	文件：528.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS SCRs 文件：528.23 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6608	文件：58.04 Kbytes Page：1 Pages	SCRs SCRs 文件：58.04 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6608	文件：528.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS SCRs 文件：528.23 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6609	文件：205.47 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS Complementary Silicon Power Transistors The 2N3773 and 2N6609 are PowerBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC−DC converters or inve 文件：205.47 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6609	文件：148.97 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 140 VOLTS 150 WATTS 文件：148.97 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6609	文件：84.86 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 16 AMPS 文件：84.86 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6609	文件：143.29 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(16A,140V,150W) 16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 140 VOLTS 150 WATTS 文件：143.29 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6609	文件：477.85 Kbytes Page：4 Pages	Transistor, PNP TO-3 Description: Complementary silicon power transistors. The 2N6609 powerbaseTM power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters or inv 文件：477.85 Kbytes 页数：4 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N6609	文件：144.8 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = -8A • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.4V(Max)@ IC = -8A • Complement to Type 2N3773 APPLICATIONS • Designed for high power audio ,disk head positioners and other linear applications, which can 文件：144.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6609	文件：96.61 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Silicon Power Transistors Complementary Silicon Power Transistors The 2N3773 and 2N6609 are PowerBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters or inve 文件：96.61 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N660
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
15(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
175000mW
Maximum DC Collector Current：
15A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
5@15AV
Maximum Collector Base Voltage：
450V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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