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2N6594	文件：156.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2N6569 ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·Designed for low voltage amplifier power switching applications 文件：156.81 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6594	文件：156.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：156.81 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6594	文件：121.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：121.74 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6594_15	文件：156.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：156.81 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6594	文件：300 bytes Page：1 Pages	100W PNP Low Voltage BJT Transistor This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
2N6590	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 450V 10A 3-Pin TO-61	NJS 新泽西半导体	NJS
2N6594	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N659
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200MHz
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
350V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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更多2N659供应商更新时间2026-10-30 11:03:00

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