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2N657S	文件：300 bytes Page：1 Pages	BJT	NJS	NJS
2N657S	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
2N657S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N657	文件：203.7 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR TO-39 Metal Can Package General Purpose Transistor. 文件：203.7 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N657	文件：142.83 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR This family Raytheon types are silicon planar NPN transistors designed for medium power, fast switching applications and are recommended for servo amplifier, medium power amplifiers and magnetic core drivers. 文件：142.83 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N657	文件：133.69 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR [Advanced Semiconductor] PNP 2N329A, NPN 2N332, NPN 2N339 ~ NPN 2N3692, NPN 2N3712 文件：133.69 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
2N657S
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/99
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5AA
描述：
POWER BJT

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