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2N6282 | Silicon NPN Power Transistors 文件:115.78 Kbytes 页数:3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6282 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件:15.52 Kbytes 页数:1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6282 | Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington | Central | Central | |
2N6282 | Transistor | Comset | Comset | |
2N6282 | Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics | |
2N6282 | Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
20A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BDX67,BDX69A,BDX69B,BDX69C,FH10C,MJ4033,MJ11012,TIP640,2SD730,2SD1460,
- 最大耗散功率:
160W
- 放大倍数:
β>750
- 图片代号:
E-44
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
20
- wtest:
160
产品属性
- 产品编号:
2N6282
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 200mA,20A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 10A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 描述:
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
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1500 |
原装现货假一罚十 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
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