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2N6282

Silicon NPN Power Transistors

文件:115.78 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6282

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.52 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6282

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington

Central

2N6282

Transistor

Comset

2N6282

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N6282

Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N6282

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    20A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDX67,BDX69A,BDX69B,BDX69C,FH10C,MJ4033,MJ11012,TIP640,2SD730,2SD1460,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    20

  • wtest:

    160

产品属性

  • 产品编号:

    2N6282

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N6282供应商 更新时间2026-4-22 14:14:00