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2N6257	文件：40.46 Kbytes Page：1 Pages	TO-3 Power Package Transistors (NPN) TO-3 Power Package Transistors (NPN) 文件：40.46 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6257	文件：130.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • DC Current Gain-hFE= 15-75@IC = 8A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5 V(Max)@ IC = 8A APPLICATIONS • Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. 文件：130.02 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6257	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for audio amplifier and switching circuits applications 文件：110.55 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6257	文件：100.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for audio amplifier and switching circuits applications 文件：100.38 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6258	文件：89.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for audio amplifier and switching circuits applications 文件：89.33 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6258	文件：110.31 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for audio amplifier and switching circuits applications 文件：110.31 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6258	文件：129.69 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for audio amplifier and switching circuits applications 文件：129.69 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6259	文件：89.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High power dissipation APPLICATIONS ·Designed for high power audio ,disk head positioners,linear amplifiers,switching regulators solenoid drivers,and DC-DC converters or inverters 文件：89.02 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6259	文件：41.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain-: hFE= 15-60@IC= 8A ·High Power Dissipation : PD= 150W@ IC= 15A APPLICATIONS ·Designed for high power audio, disk head positioners, linear amplifiers, switching regulators,solenoid drivers,and DC-DC converters or inverters. 文件：41.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6259	文件：105.65 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT POWER TRANSISTORS TO-3 Power Package Transistors (NPN) 文件：105.65 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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晶体管资料

型号：
2N6250
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
375V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BU221,BUW24,BUW25,BUW34,BUW72,BUX17B,BUX17C,BUY74,2N6306,3DK308A,
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
375
htest：
2000100
atest：
10
wtest：
175

产品属性

产品编号：
2N6250
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

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