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2N6240	文件：55.17 Kbytes Page：4 Pages	Silicon controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors . . . PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. • Passivated 文件：55.17 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
2N6240	文件：199.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Tride Thyristors 文件：199.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6241	文件：199.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Tride Thyristors 文件：199.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6246	文件：113.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area ·High gain at high current APPLICATIONS ·General-purpose types of switching and linear-amplifier applications 文件：113.92 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6246	文件：128.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area ·High gain at high current APPLICATIONS ·General-purpose types of switching and linear-amplifier applications 文件：128.12 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6246	文件：132.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area ·High gain at high current APPLICATIONS ·General-purpose types of switching and linear-amplifier applications 文件：132.43 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6246	文件：359.27 Kbytes Page：7 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS [GE SOLID STATE] SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS 文件：359.27 Kbytes 页数：7 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6247	文件：359.27 Kbytes Page：7 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS [GE SOLID STATE] SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS 文件：359.27 Kbytes 页数：7 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6247	文件：132.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area ·High gain at high current APPLICATIONS ·General-purpose types of switching and linear-amplifier applications 文件：132.43 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6247	文件：89.89 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT SI PNP POWER BJT 文件：89.89 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N6249
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BU221,BUW24,BUW25,BUW72,BUX17A,BUX17B,BUX17C,BUY74,2N6306,3DK208F,
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
2000100
atest：
10
wtest：
175

产品属性

产品编号：
2N6249
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

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