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2N6110	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6110	文件：135.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·With short pin APPLICATIONS ·Power amplifier and switching circuits applications 文件：135.24 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6110	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6110	文件：93.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·With short pin APPLICATIONS ·Power amplifier and switching circuits applications 文件：93.95 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6110	文件：95.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：95.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6110	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 30V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-213AA	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N6110
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244,BD544,BD596,BD606,BD796,BD806,3CD10B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-11
vtest：
40
htest：
10000100
atest：
7
wtest：
40

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
1800mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.3A@3A
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6110供应商更新时间2026-4-17 13:30:00

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