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2N6109	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6109	文件：94.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to NPN type: 2N6288; 2N6290 ;2N6292 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：94.23 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6109	文件：95.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：95.83 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6109	文件：73.62 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：73.62 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6109	文件：112.3 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：112.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6109	文件：117.76 Kbytes Page：5 Pages	7 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 30 ??50 ??70 VOLTS, 40 WATTS 文件：117.76 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6109	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
2N6109	文件：300 bytes Page：1 Pages	7.0 A，50V，PNP 双极功率晶体管 The Power 7A 70 VBipolar NPN Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. • DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes hFE = 30-150 @ IC hFE = 3.0 Adc 2N6111, 2N6288 hFE = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc - All Devices\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) 2N6111, 2N6288 VCEO(sus) = 50 Vdc (Min) - 2N6109 VCEO(sus) = 70 Vdc (Min) - 2N6107, 2N6292\n• High C;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6109	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 7A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6109G	文件：117.76 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes hFE = 30−150 @ IC = 3.0 Adc − 2N6111, 2N6288 = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc − 文件：117.76 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6109
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244A,BD544A,BD798,BD808,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
10000100
atest：
7
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N6109
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 3A，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 2.5A，4V
频率 - 跃迁：
10MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 50V 7A TO220

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