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2N6107	文件：274.72 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistor Bare Die Features Collector current up to 7A High DC Current Gain, hFE = 30-150 @ IC = 4A Low VCE(sat) = 3.5V Max @ IC = 7A Solderable back metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：274.72 Kbytes 页数：2 Pages	SS	SS
2N6107	文件：69.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PNP SWITCHING TRANSISTORS DESCRIPTION The 2N6107 and 2N6111 are epitaxial-base PNP silicon transistors in Jedec TO-220 plastic package. They are intended for a wide variety of medium power switching and linear applications. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES ■ PNP TRANSISTORS APPLICATIONS: ■ LINEAR AND SWITCHING INDUS 文件：69.32 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6107_V01	文件：274.72 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistor Bare Die Features Collector current up to 7A High DC Current Gain, hFE = 30-150 @ IC = 4A Low VCE(sat) = 3.5V Max @ IC = 7A Solderable back metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：274.72 Kbytes 页数：2 Pages	SS	SS
2N6107PNP	文件：100.9 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：100.9 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6108	文件：135.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·With short pin APPLICATIONS ·Power amplifier and switching circuits applications 文件：135.24 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6108	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6108	文件：93.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·With short pin APPLICATIONS ·Power amplifier and switching circuits applications 文件：93.95 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6108	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6109	文件：94.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to NPN type: 2N6288; 2N6290 ;2N6292 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：94.23 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6109	文件：297.65 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：297.65 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N6111
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244,BD544,BD796,BD806,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
40
htest：
10000100
atest：
7
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N6111
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 3A，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
10MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 30V 7A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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