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2N6083	文件：130.94 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS 文件：130.94 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6084	文件：279.16 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS DESCRIPTION This line of epitaxial silicon NPN-planar transistor is designed primarily for VHF mobile and marine transmitters. The device utilizes emitter ballasting resistors ruggendness under severe operating conditions. 文件：279.16 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N6084	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6085	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6086	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6087	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6088	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6089	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6082	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 18V 4A	NJS	NJS
2N6083	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 18V 4A	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N6084
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLW25,BLW60,BLY94,3DK208B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
36
htest：
175000000
atest：
7
wtest：
40

技术参数

Output Power：
40(Min)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
5@5V
Maximum Transition Frequency：
200(Min)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
18V
Maximum Collector Base Voltage：
36V
Configuration：
Single Dual Emitter

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