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2N6059 | NPN DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS ...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications FEATURES: * Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors. * High DC Current Gain - 文件：77.06 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6059 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High current ;high dissipation ·DARLINGTON ·Complement to type 2N5883;2N5884 APPLICATIONS ·They are intended for use in power linear and low frequency switching applications 文件：113.7 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6059 | Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
2N6059 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N6059 is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. It is inteded for use in power linear and low frequency switching applications. ■ STMicrolectronics PREFERRED SALESTYPE ■ HIGH GAIN ■ NPN DARL 文件：64.959 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
2N6059 | SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR • High Current Capability. • Hermetic TO3 Metal package. • Screening Options Available 文件：185.99 Kbytes 页数：3 Pages | TTELEC | TTELEC | |
2N6059 | SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 文件：185.99 Kbytes 页数：3 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6059 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：45.48 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
2N6059 | Silicon NPN Power Transistors 文件：132.11 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N6059 | Silicon NPN Power Transistors 文件：115.28 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6059 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：16.32 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDV65A,BDW83C,BDX65B,BDX67B,BDX87C,FH9D,MJ4035,TIP141,TIP642,2SC1830,2SD685,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
E-44
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
产品属性
- 产品编号：
2N6059
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
3000 |
公司现货库存 |
询价 | ||||
25+ |
3000 |
公司现货库存 |
询价 | ||||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
11543 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
24+ |
TO-3 |
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