2N6059 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
2N6059
产品分类：
芯片
生产厂商：
STMicroelectronics
库存数量：
3000
产品封装：
生产批号：
2015+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2024-4-19 16:00:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：2N6059品牌：STMicroelectronics

公司现货库存

2N6059是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商STMicroelectronics生产封装TO-204AA，TO-3的2N6059晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2N6059
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
内容页数：
4 页
文件大小：
64.959 kb
资料说明：
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
2N6059
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

供应商

企业：
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
林先生
手机：
18529516814
询价：
电话：
0755-83258002;83211465;83223169
传真：
0755-83617149
地址：
深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

2N6059 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

2N6059

产品参考属性

供应商

相关型号

相近型号