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2N6051 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS ...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications FEATURES: * Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors. * High DC Current Gain - 文件：90.89 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6051 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 80V IC = 12A 文件：15.52 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6051 | POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：80.97 Kbytes 页数：3 Pages | COMSET | COMSET | |
2N6051 | Darlington PNP Silicon Power -80V to -100V, -12A This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, silicon, power, 2N6051 and 2N6052 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/501. The device package outlines are as follows | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N6051 | 包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDV66A,BDW84B,BDX64A,BDX66A,BDX88B,MJ4031,TIP646,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
产品属性
- 产品编号：
2N6051
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
MOTOROLA |
24+/25+ |
19 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
1000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
TO-3 |
1500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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