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2N6050

POWER TRANSISTORS(12A,150W)

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC

2N6050

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

2N6050

Power Transistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

2N6050

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

2N6050

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N6050

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N6050

isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2N6050

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N6050

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

2N6050

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

2N6050_12

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

晶体管资料

  • 型号:

    2N6050

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV66,BDW84A,BDX64,BDX66,BDX88A,MJ4030,TIP645,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

产品属性

  • 产品编号:

    2N6050

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 24mA, 6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT
TO-3
10000
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好渠道!好价格!一片起卖!
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铁帽原装主营-可开原型号增税票
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更多2N6050供应商 更新时间2024-4-26 14:30:00