2N6036中文资料COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
2N6036 |
| 参数属性 | 2N6036 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 80V 4A SOT32 |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-1 17:06:00 |
| 人工找货 | 2N6036价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N6036规格书详情
简介
2N6036属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N6036晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N6036
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
SOT-32
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A SOT32
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2024 |
TO-126 |
70230 |
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询价 | ||
MOT |
24+ |
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ST |
23+ |
TO-126 |
16900 |
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TO-225AA |
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ON |
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