首页>2N6032>规格书详情

2N6032中文资料NPN Silicon Power 90V to 120V, 40A to 50A数据手册Microchip规格书

PDF无图
厂商型号

2N6032

参数属性

2N6032 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

NPN Silicon Power 90V to 120V, 40A to 50A
POWER BJT

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-10-1 17:00:00

人工找货

2N6032价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

2N6032规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N6032 and 2N6033 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/528. The device package outlines are as follows: TO-3 for all encapsulated device types.

简介

2N6032属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N6032晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N6032

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/528

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 5A,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 50A,2.6V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/A
23+
NA
2305
专做原装正品,假一罚百!
询价
ON/安森美
21+
TO-225
8080
只做原装,质量保证
询价
MOT
24+
TO-3
10000
询价
SGS
1114
全新原装 货期两周
询价
ON/安森美
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
25+
126
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
2447
TO-225
105000
500个/盒一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
询价
ON Semiconductor
2022+
TO-225AA
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
MICROCHIP
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价