2N6033中文资料NPN Silicon Power 90V to 120V, 40A to 50A数据手册Microchip规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N6033三极管、2N6033晶体管、2N6033晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
150V
- 最大电流允许值：
40A
- 最大工作频率：
>50MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
2N6275,2N6276,2N6277,3DK108E,
- 最大耗散功率：
140W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
150
- htest：
50000100
- atest：
40
- wtest：
140
2N6033规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N6032 and 2N6033 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/528. The device package outlines are as follows: TO-3 for all encapsulated device types.
简介
2N6033属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的2N6033晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N6033
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/528
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 4A，40A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 40A，2V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
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TO-126 |
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ON |
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