2N5880分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
2N5880规格书详情
General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications
FEATURES:
* Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A
* Execllent DC Current Gain -
hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A
产品属性
- 产品编号:
2N5880
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 描述:
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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MOT |
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2N5881 |
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MOT |
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新 |
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全新原装 货期两周 |
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MOTOROLA |
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专营铁帽CANCDIP |
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MOT |
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