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2N5880分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N5880
厂商型号

2N5880

参数属性

2N5880 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

POWER TRANSISTORS(15A,160W)

文件大小

180.43 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Mospec Semiconductor
企业简称

MOSPEC统懋

中文名称

统懋半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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2N5880规格书详情

General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications

FEATURES:

* Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A

* Execllent DC Current Gain -

hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A

产品属性

  • 产品编号:

    2N5880

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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