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2N5877分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N5877
厂商型号

2N5877

参数属性

2N5877 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件大小

300.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
NJSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-4 22:34:00

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2N5877规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS

... designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

● Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

● Low Leakage Current -

ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage

● Excellent DC Current Gain -

hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc

● High Current Gain - Bandwidth Product -

fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 0.5 A

产品属性

  • 产品编号:

    2N5877

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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