2N5876分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5876 |
| 参数属性 | 2N5876 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
300.72 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 10:12:00 |
| 人工找货 | 2N5876价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N5876三极管、2N5876晶体管、2N5876晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD250B,BD314,BD546B,BDW22B,2N3790,2N5880,2N6247,3CD9,3CK015D,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
4000100
- atest：
10
- wtest：
150
2N5876规格书详情
COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
... designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
● Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
● Low Leakage Current -
ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage
● Excellent DC Current Gain -
hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
● High Current Gain - Bandwidth Product -
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 0.5 A
产品属性
- 产品编号：
2N5876
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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