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2N5655	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 0.5A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5655_06	文件：80.51 Kbytes Page：5 Pages	Plastic NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor 文件：80.51 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5655_15	文件：127.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：127.06 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
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2N5655G	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistors 文件：129.139 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5655G_13	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistors 文件：129.139 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5655G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 0.5A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N5655
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
275V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF668,BF461,BF462,BF758,BF759,MJE5655,3DK205F,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
275
htest：
10000100
atest：
0.5
wtest：
20

产品属性

产品编号：
2N5655
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
10V @ 100mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 100mA，10mV
频率 - 跃迁：
10MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 250V 0.5A TO126

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