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2N5401YBU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

2N5401YTA

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

G2N5401

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件:147.64 Kbytes 页数:3 Pages

GTM

勤益投资控股

G2N5401

The G2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.

文件:149.36 Kbytes 页数:3 Pages

ETL

亚历电子

H2N5401

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The H2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • Complements to NPN Type H2N5551 • High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA))

文件:38.23 Kbytes 页数:4 Pages

HSMC

华昕

产品属性

  • 产品编号:

    2N5401YBU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    400MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多2N5401Y供应商 更新时间2026-1-20 16:36:00