EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=-160V, VCEO=-150V • Low Leakage Current. : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA • Low Noise : NF=8dB (Max.)

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KEC

KEC(Korea Electronics)

TO-92 PACKAGE

文件：30.46 Kbytes 页数：1 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

TO-92 PACKAGE

文件：30.46 Kbytes 页数：1 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

文件：32.479 Kbytes 页数：2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1

文件：15.7 Kbytes 页数：1 Pages

SEME-LAB

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体