2N5401C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5401C |
| 参数属性 | 2N5401C 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 |
| 功能描述 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 文件大小 |
160.5 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | KEC KEC(Korea Electronics) |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-16 11:33:00 |
| 人工找货 | 2N5401C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5401C规格书详情
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
FEATURES
• High Collector Breakdwon Voltage
: VCBO=-160V, VCEO=-150V
• Low Leakage Current.
: ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V
• Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA
• Low Noise : NF=8dB (Max.)
产品属性
- 产品编号：
2N5401CYTA
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
400MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
6500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||||
CJ/长电 |
25+ |
原厂原封装 |
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