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G2N5401	文件：147.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G2N5401	文件：149.36 Kbytes Page：3 Pages	TheG2N5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
H2N5401	文件：38.23 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •ComplementstoNPNTypeH2N5551 •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage(VCEO=150V(@IC=1mA))	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
L2N5401	文件：99.22 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
ST2N5401	文件：80.63 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistorsST2N5550andST2N5551arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
ST2N5401	文件：201.24 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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