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2N5401	文件：109.53 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltages. Sourced from Process 74. 文件：109.53 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5401	文件：69.44 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：69.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5401	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：83.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5401	文件：43.63 Kbytes Page：8 Pages	PNP high-voltage transistor DESCRIPTION PNP high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: 2N5551. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 150 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Telephony applications. 文件：43.63 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2N5401	文件：144.03 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON PNP Silicon 文件：144.03 Kbytes 页数：5 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N5401	文件：52.52 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain 文件：52.52 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2N5401	文件：202.36 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor (General purpose amplifier High voltage application) Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO= -160V, VCEO= -150V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with 2N5551 文件：202.36 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
2N5401	文件：280.36 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR High Voltage PNP Transistor For General Purpose And Telephony Applications. 文件：280.36 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N5401	文件：106.86 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：106.86 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
2N5401	文件：281.51 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW Features • Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix -HF • Moisture Sensitivity Level 1 • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) 文件：281.51 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC

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晶体管资料

型号：
2N540(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
34W
放大倍数：
β>45
图片代号：
D-112
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3.5
wtest：
34

技术参数

Maximum Transition Frequency：
30(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.7@2AV
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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更多2N540供应商更新时间2026-4-21 13:30:00

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